第423章 任重道遠、碳基芯片

 “不過，如果能持續研發下去，不失為一種更高層次的工業化大生產方式。” 

 簡而言之，就是理論美好，實踐殘酷。 

 “半導體芯片就只有硅基這一條路可以走嗎？”常樂又問。 

 “也不是，碳基芯片就是一個很不錯的新的方向。”梁青松說。 

 碳基芯片就是以碳納米管、石墨烯等材料製作的芯片。 

 學界已經有共識。 

 碳基芯片，理論上，它的電子遷移性能是硅基芯片的1000倍。 

 有更高的傳輸效率，更低的成本，更低的功耗。 

 “碳基芯片有很大可能會替代硅基芯片。”梁青松解釋道： 

 “根據理論界的預計，硅基芯片的極限是1納米。” 

 “再往下就會出現量子隧穿效應，導致通常所說的摩爾定律失效。” 

 量子隧穿效應，即電子失控亂竄，芯片失效。 

 “架構方面，也會出現馮諾依曼的內存牆現象。” 

 內存牆，即內存跟不上芯片節奏，化身一堵牆，拖累芯片性能。 

 “所以現在很多研究機構已經將注意力轉移到碳基芯片上來。” 

 “從材料本身來看，碳基材料要比硅基材料更有潛力，它有更低的極限、更優的性能和更低的功耗。” 

 “90納米工藝的碳基芯片，其性能基本等同於硅基芯片；” 

 “而採用28納米工藝的碳基芯片，等同於甚至超越7納米工藝的硅基芯片……” 

 “因此，從恆定工藝角度來思考，碳基芯片確實不那麼依賴光刻機。” 

 “但是……”梁青松話鋒一轉： 

 “一旦碳基芯片進入更小的工藝節點，譬如7納米、5納米，那麼它對光刻機的精度要求會更高，因為碳基晶圓要比硅基晶圓小很多。” 

 “而且，碳納米管提純的難度，要比硅提純的難度要大很多。” 

 “只有純度在6個9以上的晶圓才能用於芯片製造。” 

 6個9，即99.%。 

 “目前，只有一些實驗室裡，利用碳納米管做過一些中等規模的集成電路，距離芯片級的超大規模集成電路還很遙遠。” 

 “受教。我原本天真地以為可以繞開euv。”常樂誠懇地說： 

 “但是聽你這麼一說，還是沒有捷徑可走，無論選擇哪一個方向，euv都繞不開。”常樂笑道。 

 “對。不過，老闆，我覺得我們的研發速度已經很快，八年時間走完歐美國家40年的發展歷程……”梁青松點頭說：